| | 18 янвaря 2017 | Нoвoсти нaуки и тexники
В Китae сoздeтся самый яркий в мире лазер на свободных электронах
Неподалеку от Даляна, прибрежного года в провинции Ляонин на северо-востоке Китая, завершается строительство научного сооружения, которое чуть позже станет самым ярким в мире ультрафиолетовым (extreme ultraviolet, EUV) лазером на свободных электронах (Free Electron Laser, FEL). Использованное в конструкции лазера самое высокотехнологичное оборудование позволит ему вырабатывать порядка 140 триллионов фотонов за один импульс, длительность которого не превышает 1 пикосекунды. Строится это сооружение при участии Института физической химии в Даляне и Шанхайского института прикладной физики под эгидой китайской Академии Наук. А затраты на создание этого лазера уже составили 140 миллионов юаней (около 20 миллионов американских долларов).
Вспышки света от нового лазера DCLS (Dalian Coherent Light Source) «осветят» самые мельчайшие аспекты процессов и явлений микроскопического мира. «Высокоскоростные источники ультрафиолетового света позволяют нам проводить исследования на уровне отдельных атомов, молекул и наноразмерных частиц различных материалов» — рассказывает академик Янг Ксуеминг (Yang Xueming), заместитель директора Института физической химии в Даляне.
Яркость и длительность импульса источника света являются ключевыми моментами в проведении исследований. «Чем выше яркость импульса, тем более четко мы сможем видеть явления микроскопического масштаба» — рассказывает Янг, — «А так как множество физических и биологических процессов, химических реакций происходят в фемтосекундном масштабе времени, нам требуется очень быстродействующий «фонарь»».
После ввода в эксплуатацию, лазер DCLS будет использоваться для проведения исследований в самых различных областях. При его помощи будут исследоваться процессы горения, что позволит улучшить эффективность сжигания топлива и уменьшить количество выбросов вредных веществ в окружающую среду. Помимо этого, лазер будет использоваться при исследованиях новых материалов, которые станут основой полупроводниковых чипов следующих поколений.
И в заключении следует отметить, что около 90 процентов от всех устройств и узлов, использованных в конструкции лазера DCLS, были разработаны и изготовлены в Китае. А строительство этого сооружения является первым этапом программы по созданию целой серии лазеров на свободных электронах следующего поколения.
